脉冲变压器饱和会导致可控硅误触发吗？

chinajdh

用4个可控硅设计了一个H桥，测试过程中发现存在极小概率的上下管直通，从而烧毁板子。由于控制程序中已经充分考虑了时序问题，特别是一个方向的对角两管的控制是在另一个方向的对角可控硅电流充分过零之后才打开。但仍然存在小概率的直通发生。由于我采用了脉冲变压器的驱动方式，本身是用的多个脉冲的方式。我想问的是，万一脉冲的调制电路出了问题，不是多个小脉冲发出而是一个宽脉冲发出的话，如果导致脉冲变压器饱和了，有可能误触发可控硅吗？
谢谢。

广东洛贝电子科技有限公司

1）折衷效率，选取一个合适的死区时间；
2）增加保护电路，同时监测上下管的驱动信号，如果同时有效，则关闭驱动。